| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IPB05N03LA |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | Infineon Technologies | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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IPB05N03LA参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK 包装数量：1000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：25V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.6 毫欧 @ 55A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 50µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3110pF @ 15V 功率 - 最大值：94W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 存储器 - 直插式10033854-152FSLF DC DC ConV24A5H300BL2 矩形TCMD-10-D-12.00-01 压力MLH125PGB06C 支架 - 热管理PF6700AT12LG 圆形CA3106E20-3PB03 信号，高达 2 ADS1E-SL-DC3V Card EdgeGMM44DRYN Card EdgeEEM06DTAT-S273 芯片电阻 - 表面MCR01MZPF9102 |
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